Samsung marca el inicio de la revolución de la IA con soluciones de memoria y almacenamiento para ultra alta capacidad y rendimiento en FMS 2024. Máxima optimización del almacenamiento para la era de la IA.
Las aplicaciones emergentes de IA requieren mayor capacidad, velocidades más rápidas y un menor consumo de energía en comparación con las aplicaciones tradicionales.
Samsung está abordando esta demanda al convertirse en la primera en producir en masa la tecnología V-NAND de 9ª generación. La compañía presentó por primera vez su innovadora célula de triple nivel (TLC) V9 en el FMS de este año y expresó su confianza en sus capacidades de producción en masa. La nueva TLC V9 tiene la mayor densidad de bits del mundo, velocidad de E/S mejorada y eficiencia energética, y es óptima para el desarrollo de IA.
Samsung presentó un primer vistazo a su SSD de 16 canales de bajo consumo PM1753, que satisface las demandas de alto rendimiento para aplicaciones de IA. El PM1753, diseñado para manejar grandes cargas de escritura y datos de entrenamiento a gran escala, se presentó con la tecnología V9 NAND TLC.
También se dio a conocer por primera vez el BM1743 como el SSD de célula de cuádruple nivel (QLC) de mayor capacidad en la industria. Con un modelo BM1743 de 64 TB listo para la producción en masa, se espera que el desarrollo del modelo de 128 TB se complete en noviembre de 2024. Samsung recibió el premio a la "Tecnología de Memoria Más Innovadora" por su BM1743 QLC de 128 GB, aceptado por Hwaseok Oh en una ceremonia oficial en el FMS 2024.
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SAMSUNG
Samsung PM9A3 MZ-QL296000 - SSD - cifrado - 960 GB - interno - 2.5" - U.2 PCIe 4.0 x4 (NVMe) - AES de 256 bits - TCG Opal Encryption
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